ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Днепр   Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

УВАГА! Шановні клієнти магазину в м.Дніпро!

З 18.12.23 магазин в м.Дніпро за адресою вул.Новокримська 58 не працює.
Однак, наш інтернет-магазин відкритий для вас 24/7.
Усі місцеві замовлення можуть бути відправлені кур'єрськими службами.

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активные компоненты ↠ Транзисторы, модули ↠ IGBT транзисторы и модули

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Код товара:
016858

Транзистор HGTG18N120BND

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Транзистор HGTG18N120BND
Корпус: TO247
Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. (FAIRCHILD)
НЕТ в наличии.
Ожидаемая цена: 170,00 грн
от 1 шт. : — 170,00 грн
от 10 шт. : — 153,00 грн ( -10,0%)
от 30 шт. : — 144,50 грн ( -15,0%)
Цены указаны на момент наличия товара и могут измениться при его поступлении

Текущие остатки:

НЕТ в наличии

Похожие товары

Транзистор IHW30N120R3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 349 Вт
Транзистор CRG25T120BKR3S Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 50 А Ic100: 25 А Pd25: 208 Вт
Транзистор CRG25T120BK3S Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 50 А Ic100: 25 А Pd25: 278 Вт
Транзистор IRG4PH50UDPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 45 А Ic100: 24 А Pd25: 200 Вт
Транзистор IKW25N120H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 50 А Ic100: 25 А Pd25: 326 Вт

Технические характеристики

Производитель FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. (FAIRCHILD)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 1.2 kV
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 54 А
Макс. ток коллектора (100°C) 26 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 60 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 390 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Техническая документация

ОписаниеОписание (183Kb)

Изображение товара

Транзистор HGTG18N120BND

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.
Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

С этим товаром покупают: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.